ASMLのEUV光源が1kWへ前進 2030年にチップ生産最大50%増の可能性 - NewsTomo

半導体の“量産力”を左右するEUV（極端紫外線）露光で、ASMLが光源出力を大きく高める手法を示しました。2030年ごろまでに生産量を最大50%押し上げ得るという見立てで、先端チップの供給力とコストに直結しそうです。

何が起きた？ ASMLが「1,000ワット」を現実の運用条件で示す

ASMLの研究者は今週月曜日、同社のEUV光源（EUVを作るための光の発生部分）について、1,000ワット（1kW）の出力を満たす仕組みを明らかにしました。主担当のマイケル・パービス氏は、短時間のデモではなく、顧客の工場に近い要求条件でも動く「システム」だと説明しています。

ASMLは、商業向けのEUV露光装置を製造できる世界で唯一の企業とされ、先端半導体を作るうえで欠かせない装置を供給しています。今回の前進は、装置の“心臓部”にあたる光源の能力を、量産に効く形で引き上げる話です。

半導体の回路は、写真の焼き付けに似た工程でシリコンウエハーに転写されます。EUV光を、感光材（フォトレジスト）を塗ったウエハーに照射してパターンを形成します。

ポイントはシンプルで、より強いEUV光を当てられれば、必要な露光時間が短くなることです。露光が速くなれば、同じ装置でも処理できるウエハー枚数が増え、結果として1個あたりのチップコストを下げやすくなります。

ASMLのEUV装置（NXEライン）を担当するトゥーン・ファン・ゴッホ氏は、顧客がEUVをより低コストで使い続けられるようにしたい、という趣旨を語っています。

ファン・ゴッホ氏によると、2030年の終わりまでに、EUV装置1台あたりの処理能力が毎時330枚のウエハーに到達する見通しだといいます。現在の水準は毎時220枚で、ここが伸びると量産力の見え方が変わります。

1枚のウエハーには、チップのサイズに応じて数十〜数千のデバイス（個々のチップ）が入ります。つまり、ウエハー処理の伸びは、供給量・納期・価格に波及しやすい指標です。

EUV（波長13.5ナノメートル）を作る工程は、現代でも屈指の複雑さだといわれます。ASMLの方式は概ね次の流れです。

今回の開示で鍵とされたのは、主に2点です。

レーザー技術を研究し、ASMLの科学者も育成してきたという米コロラド州立大学のホルヘ・J・ロッカ教授は、この1kW達成を「非常に驚くべき」と評価しています。

パービス氏は、1,000ワットに到達した技術が今後の継続的な改善につながるとし、1,500ワットへ進む道筋が見えていること、さらに2,000ワットに到達できない根本理由はないという見立ても示しました。

もちろん、出力を上げるほど、熱・汚染（デブリ）・光学系の保護・安定稼働といった課題は一段と厳しくなります。それでも「露光の速度を上げる」という方向性は、先端半導体の供給制約をほどく現実的な手段として注目されます。

2026年2月24日現在、AIやデータセンター需要の強さが続く中で、先端プロセスの“量”を増やす技術は、半導体の供給構造そのものに影響し得ます。EUVの次の改良が、いつ・どの程度のペースで量産現場に入っていくのか。装置ロードマップと顧客側の導入計画が、これまで以上に注目されそうです。

Reference(s):
ASML EUV advance may lift chip output by 50% by 2030
cgtn.com